MOS管如何快速判断与好坏及引脚性能
1、用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。
2、因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。
3、利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4、大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。
5、大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。
如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。
管脚测定方法：
①栅极G的测定：用万用表R×100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R×10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：
a．若读数由原来较大值变为0（0×10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。
b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。
MOS管的发热情况有：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
MOS管作用
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。