根据霍尔效应，人们称用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。
随着半导体工艺技术的发展，将霍尔元件、放大器、温度补偿电路及稳压电源做在一个芯片上，成为霍尔集成传感器（目前习惯上称为霍尔传感器）。为了应用上的需要，霍尔集成传感器又分成线性型霍尔传感器及开关型霍尔传感器。根据使用要求不同又开发出不同性能的系列产品。根据霍尔效应的原理主要有两方面传感器，开关型霍尔传感器和线性型霍尔传感器。
开关型霍尔传感器是一种集成传感器，它内部含有霍尔元件、放大器、稳压电源、带一定滞后特性的比较器及集电极开路输出部分等
开关型霍尔传感器尺寸小、工作电压范围宽，工作可靠，价格便宜，因此获得极为广泛的应用。它只要配合一块小永久磁铁就很容易做成车门是否关好的指示器（如公共汽车的三个门必须关闭，司机才可开车；电梯门关好，电梯才能升降）和防盗报警器（当门或窗被非法撬开时，开关型霍尔元件可输出报警信号
霍尔传感器的主要特性参数
前面介绍过了霍尔传感器是一种根据霍尔效应制作的磁场传感器，它的主要特性参数有以下几类。
（1）输入电阻R
霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧，视不同型号的元件而定。
温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，最终引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，最好采用恒流源作为激励源。
（2）输出电阻R
两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至最小。
（3）最大激励电流I---霍尔传感器参数
由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大，程尔元件的功耗增大，元件的温皮升高，从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大，因此每种型号的几件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至几百毫安。
（4）灵敏度K
灵敏度KH=EH/IB，它的数值约为10MV（MA.T）左右。
（5）最大磁感应强度BM---霍尔传感器参数
磁感应强度超过BM时，霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大，特斯捡（T）成几千高斯（Gs）（1Gs=104T）。
（6）个等位电势
在额定激励电流F，当外加磁场为零时它是由于4个屯极的几何尺寸不对称引起的误差。
（7）霍尔传感器屯势温度系数
6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势，使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下，温度每变化1摄氏度时，霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数，它与霍尔传感器元件的材料有关。