2014年11月4日 – 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出新类的电荷耦合器件（CCD）图像传感器技术，为工业市场的微光成像树立新的基准。
这新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移（Interline Transfer， IT） CCD像素设计及新开发的电子倍增（Electron Multiplication， EM）输出结构，使图像传感器方案能够提供亚电子（sub-electron）噪声性能及CCD级图像品质和均匀性，用于极微光成像。KAE-02150是首款采用新技术的图像传感器，能在日光到星光、高光到背光等差异很大的光照条件下捕获1080p（1920 x 1080）视频，因而大幅拓展单摄像头成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有用，如监控、防卫/军事、科学及医疗成像、智能交通系统。
安森美半导体图像传感器业务部副总裁Chris McNiffe说：“KAE-02150图像传感器是我们首款充分利用新的行间转移EMCCD技术的器件，为业界提供了一款革命性的方案。CCD器件的优异图像品质及均匀性扩展至极微光条件，使工业市场的客户能在最有难度成像条件下获得全新的性能水平。这明显展示了安森美半导体独一无二的能力，能充分利用公司不断扩增的成像技术，为客户提供最先进的成像方案。”
KAE-02150采用创新的输出电路设计，用于同一图像内以逐一像素为基础利用传统CCD（低增益）或EMCCD（高增益）输出，支持高动态范围（HDR）成像。各个单独像素的电荷被测量，信号电平与拍照系统中用户可选择的阈值比较，以确定各个电荷包（packet）的路由位置。场景中极微光照区域的像素可以选择性地路由至EMCCD输出，而图像中明亮区域的像素（通常可能会使EMCCD寄存器饱和及使图像失真），会路由至传统CCD输出放大器。有了这种场景内可切换增益特性，两种输出的信号因而可以重新组合，使单个摄像头能够恰当地在暗视场中呈现明亮的区域，能够提供变化光照条件下的动态补偿，如前照灯进入或离开微光的场景。
新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平台已证明行之有效的性能。这IT-CCD平台带有全局快门、优异图像均匀性、高调制传递函数（MTF），用于当今100万像素至2，900万像素的宽广阵容器件。KAE系列将会扩充，加入额外的光学格式、分辨率及像素大小。
KAE-02150现已提供样品，具备单色及拜耳色彩配置。2014年底前还将提供包含硬件及软件的评估套件，使客户能够针对他们特定应用鉴定这新器件的性能。
VISION Trade Fair
KAE-02150图像传感器将于2014年11月4日至6日在德国斯图加特2014 VISION展览会上的安森美半导体展位（1C82）上展示。
关于安森美半导体
安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。