加速器件
MOS管开通的时候,开启的速度主要取决于二极管的反向特性。
因此MOS管关断的时间需要我们去优化,放电曲线取决于Rgate,Rgate越小则关断越快。下面有好几个方案:
1.二极管关断电路
这是最简单的加速电路。Rgate调整着MOS管的开启速度,当关断的时候,由二极管短路电阻,此时G极电流最小为:Imin=Vf/Rgate。
此电路的优点是大大加速了关断的速度,但是它仅在电压高的时候工作,且电流仍旧流向驱动器。
2.PNP关断电路
这是最流行和通用的电路,利用PNP的管子,在关断期间,源极和栅极被短路了。二极管提供了开启时候的电流通路(并且有保护PNP管子eb免受反向电压的影响),Rgate限制了开启的速度。
电路的最大的好处是放电电流的尖峰被限制在最小的环路中,电流并不返回至驱动器,因此也不会造成地弹的现象,驱动器的功率也小了一半,三极管的存在减小了回路电感。仔细看这个电路其实是图腾柱结构的简化,电路的唯一的缺点是栅极电压并不释放到0V,而是存在EC极的压差。
3.NPN关断电路
优点和上面的PNP管子相同,缺点是加入了一个反向器,加入反向器势必会造成延迟。
4.NMOS关断电路
这个电路可以使得MOS管关断非常快,并且栅极电压完全释放至零电压。不过小NMOS管子需要一个方向电压来驱动。问题也存在,NMOS的Coss电容和主MOS管的CISS合成变成等效的电容了