反激式电源的开关过程分析
关于这个论题很多人已经给出了它们的分析，不过呢寥寥几句有时候带给人更多的是疑惑和迷茫。参考了一些论文和分析，把我个人对这个问题的分析表述出来，可能和设计的分析会有一些误差，不过提出一个大家看得懂的问题总是比努力去看懂一些生涩的文字要好些（这里说明一点，做的分析和示意可能并不是对的）。
我们分析的主要问题还是在Q1管子在关断过程中的响应，至于设计电路减小这个响应的影响，方法有很多，个人以为就取值和影响合在一起做一个小专题。
在关断过程中，如果不考虑加入抑制暂态过程的电路，我们看到的波形将不会是理想的，如下图所示：
把上回写的功率变压器模型 改进模型2带入其中分析：
Mos管关断前的稳态分析：
励磁电感和漏电感中均储存能量，同时由于二极管的结电容存在，次级电容上都存在一定的电压，次级漏感中无电流。
然后我们把Mos管关掉，看下图:
我们来吧上面的过程整理一下：
1.MOS管关断后,初级电流（励磁电感和初级漏电感和电源的综合作用）给MOS输出电容充电，初级电容，初次级之间电容，次级电容，次级二极管电容，负载电容则开始放电（你可以这样理解，因为压差小了，电容放电，也可以理解为反向充电），Mos管DS端电压是上升的（这里可以认为是上面所涉及的分布参数之间的谐振，这个电路的Q之很小的），此时的电压可以认为是线性上升的。
注意此时的次级的二极管是没有导通的，因为DS端电压比较小。
2.当DS端电压上升，次级的电压达到输出电压（这是客观存在的，因为我们要保证输出电压的稳定）+整流管的电压后,如果没有次级漏感，次级回路就导通了，因此DS端电压会继续上升，当克服了次级漏感的影响后，次级电流开始上升，在这个时候励磁电感的能量由于有更小的阻抗通路，从初级来看，初级电流会减小。
3.这个时候起决定性作用的就变成了初级漏感，它不能耦合到次级上没有小的阻抗通路，因此初级漏电感就和Mos管输出电容之间和初级电容之间谐振，电压形成几个震荡（如果没有吸收和clamped电路这个过程会持续很久）。
初级漏感电流是初级电流的一部分，因此伴随着初级漏感电流的下降的是次级电流的上升，如果没有clamped电路，电流的下降会非常快，如果加入clamped电路等于把这个过程拉长，电压应力也就减小了。
看来篇幅比较大，我打算把计算和仿真的验证放在另一博文内吧，今天周日还是好好休息半天，晚上还要看球，媳妇还有个博弈计算的政治任务，数数还真不少事情。
我们分析的主要问题还是在Q1管子在关断过程中的响应，至于设计电路减小这个响应的影响，方法有很多，个人以为就取值和影响合在一起做一个小专题。
在关断过程中，如果不考虑加入抑制暂态过程的电路，我们看到的波形将不会是理想的，如下图所示：
把上回写的功率变压器模型 改进模型2带入其中分析：
Mos管关断前的稳态分析：
励磁电感和漏电感中均储存能量，同时由于二极管的结电容存在，次级电容上都存在一定的电压，次级漏感中无电流。
然后我们把Mos管关掉，看下图:
我们来吧上面的过程整理一下：
1.MOS管关断后,初级电流（励磁电感和初级漏电感和电源的综合作用）给MOS输出电容充电，初级电容，初次级之间电容，次级电容，次级二极管电容，负载电容则开始放电（你可以这样理解，因为压差小了，电容放电，也可以理解为反向充电），Mos管DS端电压是上升的（这里可以认为是上面所涉及的分布参数之间的谐振，这个电路的Q之很小的），此时的电压可以认为是线性上升的。
注意此时的次级的二极管是没有导通的，因为DS端电压比较小。
2.当DS端电压上升，次级的电压达到输出电压（这是客观存在的，因为我们要保证输出电压的稳定）+整流管的电压后,如果没有次级漏感，次级回路就导通了，因此DS端电压会继续上升，当克服了次级漏感的影响后，次级电流开始上升，在这个时候励磁电感的能量由于有更小的阻抗通路，从初级来看，初级电流会减小。
3.这个时候起决定性作用的就变成了初级漏感，它不能耦合到次级上没有小的阻抗通路，因此初级漏电感就和Mos管输出电容之间和初级电容之间谐振，电压形成几个震荡（如果没有吸收和clamped电路这个过程会持续很久）。
初级漏感电流是初级电流的一部分，因此伴随着初级漏感电流的下降的是次级电流的上升，如果没有clamped电路，电流的下降会非常快，如果加入clamped电路等于把这个过程拉长，电压应力也就减小了。
看来篇幅比较大，我打算把计算和仿真的验证放在另一博文内吧，今天周日还是好好休息半天，晚上还要看球，媳妇还有个博弈计算的政治任务，数数还真不少事情。