大电流密度下的P+-i-N+功率二极管的通态特性大大优于肖特基二极管是不言而喻的。问题是如何提高其频率特性，使其接近肖特基二极管的水平。提高开通和关断过程的速度，也就是千方百计缩短由断到开，特别是由开到关的时间，即缩短正向恢复时间tfr和反向恢复时间trr。
4.1 缩短正向恢复时间t(fr 改进开通特性)
由整流二极管的国际标准知，正向恢复时间tfr 规定为：在紧接零电压或其他规定的反向电压条件施加规定的阶跃正向电流时，正向电压上升到第一个规定值瞬间和从其峰值VFRM 下降到接近正向电压最终稳定值的第二个规定值瞬间的时间间隔。如图2 所示。
2)开通时的最高峰值电压主要由器件杂散(也称寄生)电感在电流上升率发生时的附加电压L·di/dt以及结电压(包括高低结的电压)构成。显然控制过大的杂散电感的产生是关键。这里采用有考究的平板式结构，管壳设计为无伞(伞也叫裙边)薄壳，这都是降低装配杂散电感，确保VFRM 值不高的必要措施。
一般来讲，开通对高频应用的影响远不如关断时反向恢复时间以及反向恢复电荷的影响大。
为此，提高整流二极管的高频应用能力，要将重点放在对关断特性的改进中。
4.2 降低反向恢复时间t(rr 改进关断特性)
由整流二极管的国际标准知，反向恢复时间trr规定为：当从正向到反向转换时，从电流过零瞬间起，至反向电流由峰值IFM减少到规定低值瞬间(如图3 所示)的时间间隔。
在研制过程中采取的措施是：
1)通过采取磷硅玻璃、硼硅玻璃吸收和慢降温，先把少子寿命提高到
目的是提高电子的少子寿命到
，确保高频应用时压降不会过大，且正向开通时间tfr短。
2)先低温扩铂再利用阴极面高浓度磷硅玻璃吸收，使少子寿命控制在
并在基区有一个理想的分布，后采用电子辐照达到最终的关断要求的降低少子寿命的控制技术，既保证了器件长期应用的可靠性，又保证了反向恢复时间的要求，且又可以使器件软关断，即软因子FRRS 增大，反向恢复电荷Qr减小。
软恢复的实质：在反向恢复时间不变的前提下，软因子FRRS增大，即反向恢复电流下降时间trrf增长，实质就是反向恢复电荷Qr 减小了(也就是最大反向恢复电流减小)，这样就实现了关断时不产生过大的反向电流和过大的能量损耗的目的。
3)采用截面电阻率均匀的硅单晶，使空间电荷区宽度均匀，结电容小也是关断时不产生过大的反向电流和过大的能量损耗的措施之一。
4)有意将阳极区的表面浓度做得比阴极区的还要低，也是提高软因子，降低反向恢复电荷的措施之一。