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如何鉴定IGBT的真伪,IGBT选型须知

2017年05月14日 16:18 网络整理 作者: 用户评论(0

  怎样鉴别IGBT的真伪?

  有效辨别IGBT真伪的方法,让奸商无处遁形!

  不管是门市购买还是淘宝购买,劣质IGBT管遍布,由于工艺的提高,单从外观很难区分,甚是头疼

  屡爆IGBT,心也跟着颤抖,不是自己技术不行,而是配件太坑,仰天长叹,苍天呐……

  话不多说,下面提供我的鉴别方法(全网首发,交流学习,以供参考,纯技术贴,勿喷!)

  准备一可调电源,电压调至18V,电流限定在0.1A左右

  可调电源+18V接IGBT管G极,负接S极

  方法一:数字万用表测得D-S极的导通电阻,一般小于20Ω的IGBT性能优良,为真品

  (本人采用胜利VC97,测得阻抗为17.4Ω)

  若测得DS极为无穷大的为劣质IGBT(1.即使可调电源限定电流调到0.3A,数字万用表也测不出 2.万用表需调至Ω档而非KΩ档/MΩ档)

  方法二:采用瑞宾测试仪的精密电阻档可测得劣质IGBT的导通电阻(其他有精密电阻档测试功能的仪器估计也行)

  测试仪检测D-S极导通电阻

  (本人所测得为27.47Ω)

  注:1.以上是在18V测试电压测得的标准数据,由于电磁炉驱动电压为18V,故未选取其他测试电压做参考

  (驱动电压高时,内阻稍微变小)

  2.可调电源的限流是为了防止损坏测试的仪器/万用表

  IGBT选型要注意什么?

  做高功率设计时,IGBT模块的选型要考虑到四个基本要求,一个就是明确知道IGBT的安全工作区,只要在安全工作区之内,怎么应用IGBT都可以;第二个是在热设计上的限制,还有结构上面、可靠性上面。

  1. 安全工作区

  在安全上面,主要指的就是电的特性,除了常规的变压电流以外,还有RBSOA(反向偏置安全工作区)和短路时候的保护。这个是开通和关断时候的波形,这个是相关的开通和关断时候的定义。我们做设计的时候,结温的要求,比如长期工作必须保证温度在安全结温之内,做到这个保证的前提是需要把这个模块相关的应用参数提供出来。这样结合这个参数以后,结合选择的IGBT的芯片,还有封装和电流,来计算产品的功耗和结温,是否满足安全结温的需求。

热限制就是我们脉冲功率,时间比较短,它可能不是一个长期的工作点,可能突然增加,这个时候就涉及到另外一个指标,动态热阻,我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性,就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小,这个寿命才长。

  2. 热限制

  热限制就是我们脉冲功率,时间比较短,它可能不是一个长期的工作点,可能突然增加,这个时候就涉及到另外一个指标,动态热阻,我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性,就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小,这个寿命才长。

热限制就是我们脉冲功率,时间比较短,它可能不是一个长期的工作点,可能突然增加,这个时候就涉及到另外一个指标,动态热阻,我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性,就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小,这个寿命才长。

  3. 封装要求

  封装要求主要体现在外部封装材料上面,像我们现在这种封装形式,这个是 ECONO DUAL3的例子,主要是描述材料在污染情况下,是否能够满足一些要求。在结构上面,其实也会和封装相关,因为设计的时候会布局和结构的问题,不同的设计它的差异性很大。

热限制就是我们脉冲功率,时间比较短,它可能不是一个长期的工作点,可能突然增加,这个时候就涉及到另外一个指标,动态热阻,我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性,就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小,这个寿命才长。

  4. 可靠性要求

  可靠性问题,刚才说到结温波动,其中最担心就是结温波动以后,会影响到这个绑定线和硅片之间的焊接,时间久了,这两种材料本身之间的热抗系数都有差异,所以在结温波动情况下,长时间下来,如果工艺不好的话,就会出现裂痕甚至断裂,这样就会影响保护压降,进一步导致IGBT失效。第二个就是热循环,主要体现在硅片和DCB这个材料之间,他们之间的差异性。如果失效了以后,就分层了,材料与材料之间特性不一样,就变成这样情况的东西,这个失效很明显。另一个在我们一般的应用中体现不到,就是宇宙射线的问题,这个宇宙射线对IGBT器件也是很重要的影响,尤其是在高海拔,我们一般都要做防宇宙射线的防护,在IGBT安全运营里面,我们需要强调两倍的电流关断能力,这是规格数上给的BSO的曲线,建议客户不要超过时限所规定的范围之内,你就可以保证这个产品的安全。那这个虚线代表芯片的特性,时限代表端子,所以模块内部要采用叠层模块的形式,就是要缩短这一部分压降

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( 发表人:易水寒 )

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