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华为手机实测:ufs与emmc差不多?

2017年12月01日 14:22 网络 作者: 用户评论(0

  最近华为P10手机混用UFS闪存和eMMC闪存的事情是闹得沸沸扬扬,虽然华为一再强调更换闪存对用户在P10手机上的使用体验不会产生影响,但毕竟UFS闪存与eMMC闪存之间存在着巨大的性能差异,这个理由显然无法说服众多愤怒的花粉。

  华为手机实测:ufs与emmc差不多?

  eMMC闪存与UFS闪存究竟有何不同?

  不过对于UFS闪存和eMMC闪存之间究竟存在着什么不同,到底在哪些方面会影响用户的使用体验?这些问题恐怕不是每一个玩家都可以轻松答出,这次我们就顺藤摸瓜,给大家理一理UFS闪存与eMMC闪存之间的那些事。

  什么是eMMC和UFS闪存?

  eMMC的全称是embedded MulTI Media Card,即“嵌入式多媒体存储卡”,这是一种针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。与我们常说的NAND闪存相比,eMMC闪存并不是单纯的存储芯片,它是在前者的基础额外集成主控芯片的产品,并对外提供自有标准接口,作用相当于PC上的SSD固态硬盘,而且由于自身体积很小,因此很适合移动设备使用。

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  eMMC闪存与UFS闪存在外观和作用上都没有明显区别

  UFS的全称则是Universal Flash Storage,即“通用闪存存储”,同样是一种内嵌式存储器的标准规格,同样是整合有主控芯片的闪存,不过其使用的是PC平台上常见的SCSI结构模型并支持对应的SCSI指令集 。

  因此eMMC闪存与UFS闪存都是作为嵌入式存储器使用,从作用上来说并无明显区别。只是两者所用的标准规范不同,因此移动设备无论是使用eMMC闪存还是UFS闪存,都必须支持相应的eMMC规范或者是UFS规范。

  eMMC闪存与UFS闪存的主要区别

  虽然说eMMC闪存和UFS闪存在外观和作用上都没明显区别,但是实际上两者的内部结构却有着本质上的差异。eMMC闪存基于并行数据传输技术打造,其内部存储单元与主控之间拥有8个数据通道,传输数据时8个通道同步工作,工作模式为半双工,也就是说每个通道都可以进行读写传输,但同一时刻只能执行读或者写的操作,与PC上已经淘汰的IDE接口硬盘很是相似。

  华为手机实测:ufs与emmc差不多?

  而UFS闪存则是基于串行数据传输技术打造,其内部存储单元与主控之间虽然只有两个数据通道,但由于采用串行数据传输,其实际数据传输时速远超基于并行技术的eMMC闪存。此外UFS闪存支持的是全双工模式,所有数据通道均可以同时执行读写操作,在数据读写的响应速度上也要凌驾于eMMC闪存。

  因此现在有不少人将UFS闪存比作PC上的SATA接口硬盘,小编认为这个并不准确,因为SATA硬盘虽然用的是串行技术,但是其本质上使用的是ATA规范,仅支持半双工模式。实际上UFS闪存采用的是SCSI结构模型并支持对应的SCSI指令集,因此其应该相当于服务器平台上常见的SAS硬盘而不是普通的SATA硬盘。

  华为手机实测:ufs与emmc差不多?

  正因为eMMC闪存与UFS闪存在内部结构上存在着本质上的区别,这让两者的理论带宽产生了极大的差异。近年来比较常见的eMMC闪存多应用eMMC 4.x或者5.x规范,其中eMMC 4.5常见于低端设备,理论带宽为200MB/s,现在已经基本淘汰;而eMMC 5.0/5.1标准在目前来说仍算主流,理论带宽分别为400MB/s和600MB/s,从数字上看并不算低。

  然而与UFS闪存相比,eMMC闪存的这点理论带宽就不够看了。UFS闪存的相关标准是在2011年2月份首次亮相,当时的UFS 1.1标准其已经可以提供相当于300MB/s的理论带宽,而eMMC闪存要到2012年的eMMC 4.5标准时才可以提供200MB/s的理论速率。只是由于当时的应用环境以及产本成本等因素的限制,USF 1.1标准未能得到大规模的推广。

  直到2014年UFS 2.0规范出炉后,eMMC闪存才被彻底碾压。UFS 2.0规范分为两部分,第一部分是UFS HS-G2规范,也就是我们常说的UFS 2.0,其单通道单向的理论带宽就可以达到1.45Gbps的水平,双通道双向的理论带宽就是5.8Gbps;而第二部分的UFS HS-G3标准,也就是我们常说的UFS 2.1,其理论带宽更是UFS 2.0的翻倍,达到11.6Gbps,eMMC闪存彻底望尘莫及了。

  华为手机实测:ufs与emmc差不多?

  当然了以上只是理论带宽,在实际产品中我们很难看到有可以把理论带宽全部用完的产品,不过一般来说基于UFS 2.0规范的存储设备在性能上多少是要领先于eMMC规范产品。以三星提供的数据显示,UFS 2.0闪存的连续读写速度为350MB/s和150MB/s,而eMMC 5.1闪存的连续读写速度则为250MB/s和125MB/s,比起UFS2.0闪存确实要逊色一些。

  不过与连续读写速度相比,UFS闪存在随机读写上的领先幅度要更大一些,特别是随机读取方面。同样是三星提供的数据,UFS 2.0闪存的随机读取性能可以轻松达到19000 IOPS的水平,而eMMC 5.1闪存只能达到11000 IOPS,前者的领先幅度超过了70%。

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( 发表人:沈丹 )

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