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SAMSUNG NAND三星宣布32奈米制程TLC芯片量产

2011年01月26日 22:22 www.elecfans.com 作者:发烧友 用户评论(0

在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局, 三星电子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米制程TLC芯片量产,一举领先目前停留在43奈米制程的东芝,至于英特尔(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片将于2009年底量产。内存业者表示,2010年光是三星和东芝所掀起TLC应用,预计在低阶随身碟和记忆卡市场将会有70~80%芯片被TLC产品替换。

三星宣布量产TLC芯片以32奈米制程切入,令业界相当意外,目前看来三星在30奈米制程世代系采分进合击策略,32奈米制程生产TLC芯片,35奈米制程则生产MLC芯片,显见这次三星对于一举追上东芝制程技术,在台面下已酝酿许久。

至于英特尔和美光阵营方面,日前亦信誓旦旦宣布,将在2009年底量产TLC芯片,但业界透露,该阵营内部对于是否转入TLC世代,看法仍分歧,部分人员认为现在应集中资源进入20奈米制程世代,而非去作TLC这种只能用在低阶产品的技术,等到20奈米制程量产后,要再进行制程微缩难度增加时,再去生产TLC产品。

根据英特尔和美光内部规画,2010年初将量产20奈米制程产品,届时应会再去考量TLC芯片生产时程,因为这样规画仍可以在技术上领先三星和东芝,但不需要现在就急着去淌TLC技术浑水。此外,业界亦传出英特尔和美光阵营仍可能抢先量产TLC芯片,但暂时只供给美光旗下记忆卡公司Lexar使用,暂不会大量对外贩售。

海力士(Hynix)方面,目前TLC制程技术还未成熟,由于其在NAND Flash市场影响力已逐渐降低,因此,将难以影响大局,目前海力士主流制程将由41奈米转移至35奈米。内存业者认为,三星和东芝TLC芯片量产后,2010年低阶快闪记忆卡和随身碟约有70~80%芯片都会被TLC芯片替换,对于NAND Flash市场将会是另一波冲击,未来随身碟和记忆卡势必越来越便宜,但NAND Flash这样降价趋势,对于固态硬盘(SSD)市场却是完全没帮助,因为TLC芯片成本虽然较MLC芯片大幅降低,但效能亦同步锐减,无法应用在SSD产品上。

值得注意的是,随着TLC时代来临,三星在4GB和8GB小型记忆卡microSD供货量可望倍增,再次夺回microSD供应龙头宝座,其中,在4GB产品上,三星只要采用1颗32Gb TLC芯片,胜过竞争对手要用2颗16Gb芯片堆叠,可避免堆叠造成良率流失,而在8GB容量记忆卡上,则可用2颗32Gb TLC芯片,因此,预计8GB小型记忆卡供货量会倍增,将整个microSD市场推至高容量世代,终端消费者将是最大受益者。

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