--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**RRS140P03-TB-VB 产品规格:**
- **电压(VDS):** -30V
- **电流(ID):** -11A
- **开态电阻(RDS(ON)):** 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门极阈值电压(Vth):** -1.42V
- **封装:** SOP8

**产品应用说明:**
RRS140P03-TB-VB,是 VBsemi 品牌的 P-Channel 沟道 MOSFET,适用于多种领域和模块:
1. **电源开关模块:** 由于其高电流和低电阻的特性,可用于电源开关模块,如开关电源、直流-直流转换器等。
2. **电机驱动与控制:** 适用于电机控制与驱动模块,特别是在需要高电流和低开态电阻的应用中,例如电动汽车、电动工具等。
3. **电池保护与管理:** 在电池管理系统中,可用于电池充放电的控制与保护,确保电池的安全运行。
4. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器等场景,实现高效的电能转换。
以上仅为一些示例,实际应用取决于产品设计的要求和电路的实际需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12