--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### P3003BDG-VB 产品简介
P3003BDG-VB 是一款采用 TO252 封装的单 P-沟道 (Single-P Channel) MOSFET,专为需要较高电流处理能力和低导通电阻的中等电压应用而设计。它具有 -30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 限制,阈值电压 (Vth) 为 -1.7V。该器件的导通电阻 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时为 46mΩ,而在 VGS = 10V 时仅为 33mΩ。最大漏极电流 (ID) 达到 -38A。P3003BDG-VB 采用先进的沟槽 (Trench) 技术,使其在高电流应用中具备更低的能耗和更好的热管理特性,非常适合高效能和紧凑型设计。
### P3003BDG-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 P-沟道 (Single-P Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 46mΩ @ VGS = 4.5V
- 33mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -38A
- **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)
### 应用领域与模块
1. **电源管理与负载开关**
P3003BDG-VB 常用于 DC-DC 转换器和电池管理模块中,尤其是在需要低导通电阻的负载开关应用中表现优异。其高电流能力和低能耗使其能够有效减少系统功耗,延长电池的使用时间。
2. **工业控制与电机驱动**
在工业自动化设备中,该器件适用于电机控制模块,能提供精确的电流控制和高效能的功率处理,满足对大电流和高效运作的需求。
3. **消费电子与家电**
P3003BDG-VB 非常适合用于笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品的电源调节模块中,凭借低导通电阻和高电流能力,有助于降低电力损耗,提高系统的温度管理。
4. **汽车电子系统**
在电池管理系统 (BMS)、车载充电器和逆变器等汽车电子模块中,P3003BDG-VB 的稳定性和高电流处理能力可以为车载设备提供高效的功率管理解决方案,适用于严苛的汽车应用环境。
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