企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: P3003BDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
  • ID -38A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### P3003BDG-VB 产品简介

P3003BDG-VB 是一款采用 TO252 封装的单 P-沟道 (Single-P Channel) MOSFET,专为需要较高电流处理能力和低导通电阻的中等电压应用而设计。它具有 -30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 限制,阈值电压 (Vth) 为 -1.7V。该器件的导通电阻 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时为 46mΩ,而在 VGS = 10V 时仅为 33mΩ。最大漏极电流 (ID) 达到 -38A。P3003BDG-VB 采用先进的沟槽 (Trench) 技术,使其在高电流应用中具备更低的能耗和更好的热管理特性,非常适合高效能和紧凑型设计。

### P3003BDG-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 P-沟道 (Single-P Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 46mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -38A
- **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)

### 应用领域与模块

1. **电源管理与负载开关**  
  P3003BDG-VB 常用于 DC-DC 转换器和电池管理模块中,尤其是在需要低导通电阻的负载开关应用中表现优异。其高电流能力和低能耗使其能够有效减少系统功耗,延长电池的使用时间。

2. **工业控制与电机驱动**  
  在工业自动化设备中,该器件适用于电机控制模块,能提供精确的电流控制和高效能的功率处理,满足对大电流和高效运作的需求。

3. **消费电子与家电**  
  P3003BDG-VB 非常适合用于笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品的电源调节模块中,凭借低导通电阻和高电流能力,有助于降低电力损耗,提高系统的温度管理。

4. **汽车电子系统**  
  在电池管理系统 (BMS)、车载充电器和逆变器等汽车电子模块中,P3003BDG-VB 的稳定性和高电流处理能力可以为车载设备提供高效的功率管理解决方案,适用于严苛的汽车应用环境。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    173浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    155浏览量