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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE603S-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: NCE603S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:NCE603S-VB
丝印:VBA5638
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N+P沟道
- 额定电压:±60V
- 额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)
- 导通电阻:28mΩ @ VGS=10V;51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压:±1.9V
封装:SOP8

详细参数说明:
NCE603S-VB是一款N+P沟道双极场效应管,适用于工作电压在±60V范围内的电路设计。其正向最大电流为6.5A,反向最大电流为5A。在10V和20V的门源电压下,导通电阻分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压为正负1.9V。该产品采用SOP8封装。

应用简介:
NCE603S-VB适用于各种功率电子应用,特别是对电压和电流要求较高的场合。常见的应用包括:
1. 电源模块:用于开关电源、直流-直流转换器和逆变器中的功率开关控制。
2. 电机驱动器:用于马达控制、步进电机驱动和直流电机控制等领域。
3. LED照明:用作LED驱动电路中的开关管,实现LED灯的亮度调节和控制。
4. 电动汽车充电器:用于电动汽车充电桩中的电源开关控制,实现安全高效的充电。

这些领域中,NCE603S-VB可作为关键的功率开关元件,提供可靠的电路控制和保护,同时具有良好的导通性能和电压容忍能力,适用于各种复杂的工作环境和应用场景。

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