HMC435AMS8G(E)
SPDT非反射式开关，DC - 4 GHz
HMC435AMS8G(E)特性
高隔离度： 62 dB（1 GHz时） 52 dB（2 GHz时）
正控制： 0/+5V
输入IP3： 54 dBm
非反射式设计
超小型MSOP-86封装：
14.8 mm2
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
HMC435AMS8G(E)应用
基站和中继器
蜂窝/3G和WiMAX/4G
基础设施和接入点
CATV/CMTS
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