AD669SQ/883B DACPORT®是一款完整的16位单芯片DAC，内置一个片上基准电压源和输出放大器。它采用ADI公司的BiMOS II工艺制造。该工艺允许在与高精度双极线性电路相同的芯片上制造低功率CMOS逻辑功能。AD669芯片包括电流开关、解码逻辑、输出放大器、嵌入式齐纳基准电压源和双缓冲锁存器。
AD669SQ/883B 的架构可确保整个温度范围内的15位单调性。积分非线性保持在0.003%，而微分非线性最大为0.003%。对于满量程步进，片内输出放大器提供10 ms的电压输出建立时间，精度在1/2 LSB以内。
数据以并行16位格式载入AD669。双缓冲锁存结构消除了数据偏斜误差，并支持多DAC系统中DAC的同步更新。三个TTL/LSTTL/5 V CMOS兼容信号控制锁存器:特许测量员,腰神经2和LDAC.
AD669的输出范围可通过引脚编程设置，提供0 V至+10 V的单极性输出范围或-10 V至+10 V的双极性输出范围。
AD669分为七个等级:AN和BN版本的额定温度范围为-40°C至+85°C，采用28引脚塑封DIP封装。AR和BR版本的额定工作温度范围为-40°C至+85°C，采用28引脚SOIC封装。SQ版本的额定温度范围为-55°C至+125°C，采用28引脚密封cerdip封装。AD669还符合MIL-STD-883标准。有关规格和测试条件，请参考AD669/883B数据手册。
AD669SQ/883B 详情概述：
AD669SQ/883B 是一款完整的电压输出16位DAC，在单IC芯片上集成基准电压源和数字锁存。
内部嵌入式齐纳基准电压经过激光调整至10.000，最大误差为0.2%。基准电压也可用于外部应用。
AD669具有直流和交流额定性能。DC规格包括1 LSB INL误差和1 LSB DNL误差。交流规格包括0.009% THD+ N和83 dB SNR。交流规格使AD669适合信号产生应用。
AD669上的双缓冲锁存器消除了数据偏斜误差，同时允许同步更新多DAC系统中的DAC。
输出范围为引脚可编程的单极性0 V至+10 V或双极性–10V至+10 V输出。无需外部元件即可设置所需的输出范围。
AD669SQ/883B 特点与优势：
自动校准
片内采样保持功能
并行输出格式
16位无失码
1 LSB INL
–97分贝总谐波失真
90 dB S/(N+D)
1 MHz全功率带宽
RFSA2023
50 - 6000 MHz、3.3 V 压控衰减器
RFSA2023
关键性能
- 专利电路架构
- 宽带 50MHz 至 6000MHz 频率范围
- 30dB衰减范围
- +50dBm IIP3 典型值
- +80dBm IIP2 典型值
- 高1dB压缩点>+30dBm
- 低电源电流（典型值 1mA）
- 3.3V电源
- 线性 dB 控制特性
- 内部温度补偿
- 1C 类 ESD（1000V）
- 采用小型 3mm x 3mm QFN 封装的完整解决方案
- 5V 部件可用 RFSA2013
Qorvo 的 RFSA2023 是一款全单片模拟压控衰减器 (VCA)，在典型的温度补偿 30dB 增益控制范围内具有出色的线性度。它采用了革命性的新型电路架构，解决了长期存在的行业问题：高IP3、高衰减范围、低直流电流、宽带宽和温度补偿线性dB控制电压特性。该压控衰减器由带有片上直流调节电路的单个正控制电压控制。控制电压与增益的斜率是可选择的。 RFSA2023 消耗非常低的 1mA 电流，并采用小型 3mm x 3mm QFN 封装。该衰减器在其额定控制范围和频率上匹配 50 欧姆，无需外部匹配组件。典型的 VCA'此性能类别中的器件具有较差的固有衰减与温度关系以及较差的非线性衰减与控制电压特性。为了纠正这些缺点，其他 VCA 需要大量片外模拟支持电路，这会消耗宝贵的 PCB 面积和额外的直流电源。这款改变游戏规则的产品将完整的解决方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封装中，与传统 PIN 二极管方法相比，占地面积减少了 20 倍，直流功率减少了 10 倍。这款改变游戏规则的产品将完整的解决方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封装中，与传统 PIN 二极管方法相比，占地面积减少了 20 倍，直流功率减少了 10 倍。这款改变游戏规则的产品将完整的解决方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封装中，与传统 PIN 二极管方法相比，占地面积减少了 20 倍，直流功率减少了 10 倍。
