企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

HAT3038RJ-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

型号: HAT3038RJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:HAT3038RJ-VB

丝印:VBA5638

品牌:VBsemi

参数:

- 沟道类型:N+P 沟道
- 工作电压范围:±60V
- 最大电流:6.5A(正向) / -5A(反向)
- 开启电阻:28mΩ @ VGS=10V / 51mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压:±1.9V
- 封装类型:SOP8

应用简介:

HAT3038RJ-VB系列器件采用N+P沟道设计,适用于广泛的电源管理和功率控制应用。具有稳定可靠的性能,能够在宽广的工作电压范围内提供优异的性能。适用于以下领域和模块:

1. 电源转换器模块:该系列器件适用于电源转换器模块,能够实现高效的电能转换和功率调节,提高系统的效率和稳定性。

2. 电机驱动器:具有较低的开启电阻和高功率输出特性,适用于电机驱动器模块,能够提供可靠的电力输出,驱动各种类型的电机。

3. 汽车电子系统:由于其高工作电压范围和可靠性,适用于汽车电子系统中的电源管理和功率控制模块,满足汽车电子设备的需求。

4. 工业控制系统:在工业控制系统中,该系列器件可用于实现各种类型的电力控制和电源管理功能,提高系统的稳定性和效率。

5. LED驱动器:适用于LED照明系统中的驱动器模块,提供稳定的功率输出,实现LED照明系统的高效能和长寿命。

以上是HAT3038RJ-VB系列器件的中文详细参数说明和应用简介,希望对您有所帮助。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1263浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    974浏览量