企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

FW351-TL-E-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FW351-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号: FW351-TL-E-VB

丝印: VBA5638

品牌: VBsemi

参数:
- N+P-通道沟道
- 最大电压:±60V
- 最大电流:6.5/-5A
- 开态电阻:RDS(ON)=28/51mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 门源电压阈值:Vth=±1.9V

封装: SOP8

应用简介:
FW351-TL-E-VB是一款N+P-通道沟道功率MOSFET,适用于多种领域的电路设计。其优异的性能参数使其特别适用于以下领域和模块:

1. 电源管理模块:由于其高电压和电流承受能力,FW351-TL-E-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理模块,确保系统稳定可靠的电力供应。

2. 电机驱动模块:FW351-TL-E-VB的低开态电阻和高电流能力使其成为驱动电机的理想选择。它可用于电动汽车、工业机械和家用电器等各种电机驱动模块,提供高效能的电机控制。

3. LED照明模块:在LED照明应用中,FW351-TL-E-VB可以作为LED驱动电路中的功率开关器件,提供高效的电力转换和稳定的亮度调节,适用于室内照明、车灯和舞台照明等场景。

4. 工业自动化模块:由于其稳定可靠的性能和耐高压的特点,FW351-TL-E-VB可用于工业控制系统中的开关和逆变器,实现工厂自动化和设备控制的高效能运行。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1260浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    969浏览量