--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: FQS4900-NL-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- 通道数: N+P-Channel沟道
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- 开启电阻: RDS(ON) = 28mΩ (N-Channel), 51mΩ (P-Channel) @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压: Vth = ±1.9V
封装: SOP8

详细参数说明:
FQS4900-NL-VB是一款N+P-Channel沟道功率MOSFET,适用于正负电压应用,额定电压为±60V。其N-Channel沟道支持最大6.5A电流,P-Channel沟道支持最大-5A电流。在10V和20V的栅极-源极电压下,N-Channel沟道的开启电阻为28mΩ,P-Channel沟道的开启电阻为51mΩ。阈值电压为±1.9V,封装为SOP8。
应用简介:
该产品适用于多种功率控制和开关应用,特点如下:
1. 混合功率模块: 在混合功率模块中,FQS4900-NL-VB可同时控制正负电压的功率开关,广泛应用于双电源系统和电源切换模块。
2. 电动工具模块: 作为电动工具模块中的功率开关,该MOSFET可用于马达控制和电源管理,提高电动工具的性能和效率。
3. 双极性电源模块: 在需要正负电源供电的双极性电源模块中,FQS4900-NL-VB可以实现正负电源的切换和控制,适用于医疗设备和通信系统等领域。
以上是该产品的详细参数说明和应用示例。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12