企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

AFN3400S23RG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AFN3400S23RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

AFN3400S23RG-VB是VBsemi品牌的N通道沟道场效应晶体管(FET),具体参数如下:

- 封装:SOT23
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.2~2.2V

**应用简介:**
AFN3400S23RG-VB适用于各种电源管理和开关应用,特别是在以下领域和模块中发挥重要作用:

1. **电源供应模块:** 用于设计稳定、高效的电源供应模块,例如开关电源、直流-直流转换器等。
 
2. **电机驱动:** 在电机控制系统中,可用于设计电机驱动模块,提供高效的电源管理和控制。
 
3. **LED照明:** 在LED照明系统中,可用于设计LED驱动器,确保高效的电源管理和亮度控制。
 
4. **电池管理:** 用于设计电池充电和放电管理系统,确保电池的有效使用和安全性。

AFN3400S23RG-VB的特性使其在各种领域的电源控制和管理应用中都具有广泛的适用性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    731浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    610浏览量