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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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ACE2305BM+H-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: ACE2305BM+H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:ACE2305BM+H-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大漏极电流:-4A
- 开启电阻:RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

应用简介:
适用于电子模块和电路中,特别适用于需要P—Channel沟道的应用场景。以下是一些可能的应用领域和模块:

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性,适用于电源开关和电源管理模块,可用于稳定和调整电源输出。

2. **功率逆变器:** 在功率逆变器中,可以用于控制电流和电压,适用于需要P—Channel MOSFET的电路。

3. **电流控制模块:** 由于具有较低的开启电阻和较高的漏极电流,可用于电流控制模块,确保有效的电流传输。

4. **电池管理系统:** 适用于需要负载开关和电池管理的系统,能够有效地控制电池充放电过程。

以上只是一些示例,具体的应用还取决于具体电路和系统要求。

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