企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

2313GN-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: 2313GN-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

VBsemi 2313GN-VB 产品详细参数及应用简介:

**参数说明:**
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 门-源阈值电压:Vth = -0.81V

**应用简介:**
2313GN-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管,具有低漏电流、低导通电阻等特性,适用于多种电源控制和开关应用。

**典型应用领域及模块示例:**
1. **电源管理模块:** 由于其低漏电流和低导通电阻的特性,2313GN-VB可广泛应用于电源管理模块,如开关电源、稳压器等。

2. **电池充放电模块:** 在需要对电池进行精准控制的应用中,该器件可用于构建电池充放电模块,如便携式电子设备、电动工具等。

3. **电流检测模块:** 作为电源控制元件,2313GN-VB可应用于电流检测模块,用于监测和调节电路中的电流。

总体而言,2313GN-VB在电源管理、电池充放电和电流检测等领域中具有广泛的应用,为这些模块提供可靠的电源控制和开关功能。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    730浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    610浏览量