--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---

HMC8118 特性
转换损耗: 11 dB(典型值)
边带抑制: 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率:33 dBc 14 dBm(典型值)
输入三阶交调截点(IP3): 22 dBm(典型值)
输入二阶交调截点(IP2): -5 dBm(典型值)
RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -27 dBm(典型值)
RF回损: 6 dB(典型值)
LO回损: 18 dB(典型值)
裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm
更多细节
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HMC8118是一款集成E频段的砷化镓(GaAs) 单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整个频段内提供11 dB小信号转换增益和33 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者,输入可使用针对单边带应用的外部90°混合器件和两个外部180°混合器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
HMC8118 应用
E频段通信系统
高容量无线回程
测试与测量
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