--- 产品参数 ---
- 沟道 2个N沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi FDC6305N-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB3222
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- **封装:** SOT23-6
- **沟道类型:** 2个N-Channel
- **最大电压:** 20V
- **最大电流:** 4.8A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- **门源极阈值电压:** Vth=1.2~2.2V

**应用简介:**
FDC6305N-VB广泛应用于各种电子模块,特别是在以下领域模块中:
1. **电源模块:** 用于电源开关和调节电路,适合轻载开关电源设计。
2. **电池管理:** 在便携设备和电池供电系统中,用于电池充放电管理。
3. **LED驱动:** 作为LED照明系统中的开关元件,用于LED灯条和照明控制。
**作用:**
在这些模块上,FDC6305N-VB发挥以下作用:
1. **低电压开关:** 适用于低电压系统,可实现高效的能量转换。
2. **电流控制:** 通过精准的电流控制,适用于需要精确电流管理的应用。
3. **功率开关:** 作为功率开关器件,用于控制电流通断,实现高效的能量转换。
**使用注意事项:**
- 需要确保工作电压和电流不超过规定的最大值。
- 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件正常工作温度。
- 遵循厂商提供的数据表和规格书中的指导方针,以确保正确的电路设计和应用。
以上简介仅供参考,具体应用需要根据实际设计和使用情况进行调整。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12