--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT223封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
参数说明:
- 丝印: VBJ2201K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT223
- 类型: P—Channel 沟道
- 额定电压: -200V
- 额定电流: -0.4A
- 导通电阻: RDS(ON) = 1400mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V

应用简介:
BSP317P-VB适用于SOT223封装,是一款P-Channel沟道MOSFET。主要应用在需要负载开关的电路中,能够在低电压下实现高效的电源管理。
领域模块:
1. 电源管理模块
2. DC-DC转换器
3. 电池管理模块
作用:
在上述模块中,BSP317P-VB可用于负载开关,帮助实现高效的电能转换和管理。
使用注意事项:
1. 请确保电压和电流不超过组件的额定值。
2. 正确连接极性,避免损坏组件。
3. 避免超过阈值电压,以免影响性能。
4. 在设计中考虑散热,确保在正常工作温度范围内。
5. 遵循制造商提供的其他建议和规范。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12