--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品详细参数说明
- **型号:** FDN304PZ-NL-VB
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23
#### 参数:
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大沟道电压:** -30V
- **最大持续电流:** -5.6A
- **导通电阻:** RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=-1V

### 应用简介
该产品是一款SOT23封装的P-沟道场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有负电压特性,适用于需要在负电压条件下工作的电路设计。
### 产品应用领域和模块
1. **电源逆变器:** 用于电源逆变器模块,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。
2. **电池保护:** 在负电压条件下,用于电池的充放电保护,防止过充、过放电。
3. **电流控制:** 可用于电流控制模块,在需要负电压控制的电路中提供可靠的开关控制。
4. **电源开关:** 适用于电源开关模块,可在负电压环境中实现高效、稳定的电源开关。
### 作用:
- 提供负电压条件下的高效电源开关控制。
- 用于电池管理系统中,实现负电压条件下的电池充放电保护。
- 在电流控制模块中,实现负电压条件下的可靠开关控制。
### 使用注意事项
1. **电压方向:** 由于为P-沟道类型,注意正确连接,避免反接。
2. **电流限制:** 在规定的电流范围内使用,避免超过最大持续电流,以防止过热。
3. **温度控制:** 确保在规定的温度范围内使用,以维持器件的性能和寿命。
4. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,避免静电损害。
5. **阈值电压:** 注意阈值电压范围,确保在适当的电压条件下使用。
通过合理应用和注意事项的遵守,FDN304PZ-NL-VB可在负电压环境下的电源、电池管理和电流控制系统中发挥关键作用,提高系统性能和稳定性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12