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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BSS123LT1G-VB场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管

型号: BSS123LT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 SOT23封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号: BSS123LT1G-VB

丝印: VB1106K

品牌: VBsemi

### 详细参数说明:

- **封装类型:** SOT23
- **沟道类型:** N-Channel
- **额定电压 (VDS):** 100V
- **最大持续电流 (ID):** 0.17A
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
 - @ VGS = 10V: 2800mΩ
 - @ VGS = 20V: 未提供具体数值
- **阈值电压 (Vth):** 1.28V

### 应用简介:

BSS123LT1G-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管。由于其小电流、低电压、小封装的特性,适用于一些低功耗、小信号开关的应用。

### 适用领域和模块:

1. **小信号开关模块:** 由于其小电流和低电压特性,BSS123LT1G-VB可用于设计小信号开关模块,例如在电子设备中用于控制小功率LED、传感器等。

2. **电源开关:** 在一些低功率电源开关中,可以用于控制电源的开关,实现电源的节能和管理。

3. **模拟电路开关:** 适用于模拟电路中的小信号开关,例如模拟开关电源、模拟信号选择等。

### 使用注意事项:

1. **电压等级:** 在使用过程中,确保不要超过额定电压100V。

2. **电流限制:** 不要超过规定的最大持续电流,即0.17A。

3. **阈值电压:** 注意阈值电压为1.28V,在设计电路时需考虑适当的电压范围。

4. **散热:** 通常情况下,由于其小功率特性,不需要额外的散热。

5. **静电防护:** 在操作过程中,采取适当的静电防护措施,以防止损坏晶体管。

请注意,这只是一个基本的概述,具体的设计和应用需要根据具体的项目需求和制造商的推荐进行。在使用该器件之前,请务必查阅相关的数据表和技术文档以获取详细的信息和指导。

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