--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IRL540NPBF-VB
丝印:VBM1104N
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:TO220
- 沟道类型:N—Channel沟道
- 额定电压:100V
- 最大电流:55A
- 开态电阻(RDS(ON)):36mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):2V
应用简介:
IRL540NPBF-VB是VBsemi推出的一款TO220封装的N—Channel沟道功率MOSFET。具有100V的额定电压和最大55A的电流承受能力,以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻(RDS(ON))为36mΩ,具备卓越的性能特点。阈值电压(Vth)为2V,适用于多种应用场景。
详细参数说明:
1. **封装类型:** TO220
2. **沟道类型:** N—Channel沟道
3. **额定电压:** 100V
4. **最大电流:** 55A
5. **开态电阻(RDS(ON)):** 36mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压(Vth):** 2V
应用领域:
IRL540NPBF-VB适用于以下领域的模块:
1. **电源开关:** 由于其N—Channel沟道类型和较高的额定电压,适用于电源开关模块,能够实现高效的电路切换。
2. **电机驱动:** 在电机驱动模块中,可用于控制电机的功率,具备较低的开态电阻。
3. **电源逆变器:** 用于电源逆变器模块,通过高电压和电流承受能力,实现有效的电能转换。
使用注意事项:
- 在设计中请确保适当的散热措施,以维持器件在正常工作温度范围内。
- 请按照数据手册提供的最大额定值使用,以防止过载损坏。
- 注意阈值电压(Vth)的范围,确保在实际应用中选择适当的驱动电压。
以上是IRL540NPBF-VB的详细参数说明和应用简介,同时提供了使用注意事项,该产品在电源开关、电机驱动和电源逆变器等领域有着广泛的应用潜力。
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