--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:ST2301AS23RG-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 开启电阻:RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V
应用简介:
ST2301AS23RG-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET,适用于一些要求较低电压和适度电流的应用。其低开启电阻和P—Channel沟道的特性使其在一些小功率电子设备中表现出色。
示例应用领域:
1. 低功耗电子设备:由于器件具有P—Channel沟道和较低的开启电阻,适合在低功耗设备中使用,如便携式电子产品。
2. 信号开关:可用于一些需要控制信号通断的场合,如信号开关模块。
3. 电源管理:适用于一些需要P—Channel沟道的电源管理模块,提供稳定的电源输出。
请注意,具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。
为你推荐
-
ZXMN6A25DN8TC-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:21
产品型号:ZXMN6A25DN8TC-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A25DN8TA-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:20
产品型号:ZXMN6A25DN8TA-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A11DN8TC-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:18
产品型号:ZXMN6A11DN8TC-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A11DN8TA-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:17
产品型号:ZXMN6A11DN8TA-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A09DN8TC-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:16
产品型号:ZXMN6A09DN8TC-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A09DN8TA-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:15
产品型号:ZXMN6A09DN8TA-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个N—Channel -
ZXMN6A07FTC-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:13
产品型号:ZXMN6A07FTC-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
ZXMN3B14FTC-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:11
产品型号:ZXMN3B14FTC-VB 封装 :SOT23封装 沟道:N—Channel -
ZXMN3B14FTA-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:08
产品型号:ZXMN3B14FTA-VB -
ZXMN3B01FTC-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 14:05
产品型号:ZXMN3B01FTC-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel