--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:CES2305-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(Vds):-20V
- 最大漏极电流(Id):-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V
封装:SOT23
应用简介:
CES2305-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和小型化应用中。
领域模块应用:
1. **电源管理模块:** 适用于电源管理电路,例如低功耗开关电源、便携式电源等,以实现高效的功率转换和能量管理。
2. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。
3. **信号开关模块:** 在一些需要模拟开关功能的电路设计中,如信号开关、模拟开关电源等。
4. **小型化设备:** 由于其小型封装和低功耗特性,适用于小型化设备设计,如便携式电子设备、传感器节点等。
5. **模拟电路:** 在一些需要P-Channel MOSFET的模拟电路中,CES2305-VB可用于实现高性能的模拟信号处理。
请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成CES2305-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
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