--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: NTP75N06G-VB
丝印: VBM1615
品牌: VBsemi
参数:
- 封装: TO220
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压(V): 60V
- 额定电流(A): 60A
- 开态电阻(RDS(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1.9V
封装: TO220
重新生成的详细参数说明和应用简介:
NTP75N06G-VB是一款N—Channel沟道MOSFET,采用TO220封装。其主要参数包括60V的额定电压,60A的额定电流,以及在不同门源电压下的开态电阻。
**详细参数说明:**
1. **额定电压(V):** 60V - 这表示器件能够在60V的电压下正常工作。
2. **额定电流(A):** 60A - 这表示器件可以承受的最大电流为60安培。
3. **开态电阻(RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下,器件的导通状态时的电阻。在这个例子中,当门源电压为10V或20V时,开态电阻为11毫欧姆。
4. **阈值电压(Vth):** 1.9V - 这是器件的阈值电压,即MOSFET开始导通的门源电压。

**应用简介:**
NTP75N06G-VB适用于多种领域的电源和开关电路,具体包括但不限于:
1. **电源模块:** 适用于设计中等功率电源模块,提供高效的电源解决方案。
2. **电机驱动:** 由于其高额定电流,可用于电机驱动电路,提供可靠的功率输出。
3. **电动车辆:** 适用于电动汽车和电动自行车中的功率开关电路。
4. **工业控制:** 在需要高功率开关的工业控制电路中,提供可靠的开关功能。
5. **电源开关:** 用于电源开关电路,例如直流-直流(DC-DC)变换器。
总的来说,NTP75N06G-VB是一款高功率N—Channel MOSFET,适用于需要高电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用,特别在需要中等额定电压和高电流的场合,如电源管理、电机驱动、电动车辆和工业控制等领域。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12