型号：PHT6N06T-VB
丝印：VBJ1695
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大持续电流：4A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：1.53V
- 封装：SOT223
详细参数说明：
PHT6N06T-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 60V 的额定电压和最大持续电流为 4A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 76mΩ @ 10V 和 85mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.53V。
应用简介：
PHT6N06T-VB 通常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中，特别适用于需要 N 沟道 MOSFET 的电路。SOT223 封装使其易于集成到小型电子设备中。这种型号的 MOSFET 可以在各种领域的模块中使用，如电源逆变器、电源开关、电池保护电路、移动设备、电源管理、电源放大器、电动工具和其他低至中功率应用。它的低导通电阻和适度的电流承受能力使其在高效率、低功耗应用中非常有用。
