型号：vsd090n10ms-VB
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 最大持续电流：18A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：1.6V
- 封装：TO252
详细参数说明：
vsd090n10ms-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 100V 的额定电压和最大持续电流为 18A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 115mΩ @ 10V 和 121mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.6V。
应用简介：
vsd090n10ms-VB 通常用于电源管理、电源开关、电源转换器、电源逆变器和其他需要高性能 MOSFET 的领域的模块。由于其高额定电压和适度的电流承受能力，它适合用于需要高电压和较高电流的应用，如电源开关、电源逆变器、电源转换器、电机控制、电池保护电路等。TO252 封装使其易于集成到各种电子设备和电路中。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电压承受能力，可提供卓越的性能和高效率，适用于需要高功率开关的应用。
