型号：TK20S06K3L-VB
丝印：VBE1638
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：45A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 门源极阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装类型：TO252
应用简介：
TK20S06K3L-VB是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电压承受能力、高电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种高功率电子领域的模块中得到广泛应用。
应用领域：
1. 电源模块：TK20S06K3L-VB可用于高功率电源开关模块，以提供电能转换和电压调节功能。适用于各种电子设备、通信设备和工业设备。
2. 电机驱动：在电机控制模块中，它可以用于电机驱动电路，提供高电流承受能力和低损耗，适用于电动汽车、机器人和工业自动化。
3. 电源逆变器：它还可以用于逆变器电路，将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。
4. 高电流开关：TK20S06K3L-VB可用于高电流开关模块，如电源分配、电流保护和开关控制。
总之，TK20S06K3L-VB是一种高性能N沟道MOSFET，适用于多个领域的高功率电子模块，提供电源管理、电机控制、信号放大和逆变功能。
