--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TSSOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:FTD2017-VB
丝印:VBC6N2022
品牌:VBsemi
参数说明:
- 类型:2个N沟道
- 额定电压:20V
- 最大电流:4.8A (每个通道)
- 静态导通电阻(RDS(ON)):20mΩ @ 4.5V, 22mΩ @ 4.5V (每个通道)
- 阈值电压(Vth):0.6 ~ 2V
- 封装类型:TSSOP8
应用简介:
FTD2017-VB是一款包含2个N沟道功率MOSFET的器件,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力:
1. 电源开关:这个器件可用于电源开关模块,提供高效的电源控制,适用于各种应用,包括电源管理和电源逆变器。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,FTD2017-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制和运行。
3. 电池保护:由于其低阈值电压,可用于电池保护模块,确保电池在各种操作条件下得到充分的安全保护。
4. 通信设备:在无线通信设备中,FTD2017-VB可用于功率开关和电源管理,以确保设备的高效运行。
总之,FTD2017-VB适用于多个领域,包括电源开关、电机驱动、电池保护和通信设备等模块。其性能参数使其成为各种应用中的理想选择。
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