企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

IRFR420ATRPBF-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号: IRFR420ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:IRFR420ATRPBF-VB
丝印:VBE165R04
品牌:VBsemi

参数说明:
- 类型:N沟道
- 额定电压:650V
- 最大电流:4A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 封装类型:TO252

应用简介:
IRFR420ATRPBF-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力:

1. 电源逆变器:这款MOSFET的高额定电压和导通电阻使其非常适合用于太阳能逆变器和电源逆变器,以实现高效电能转换。

2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,IRFR420ATRPBF-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制和运行。

3. 电源管理模块:该产品可用于电源开关和电源调节,提供高效的电源管理,适用于各种应用。

4. 高压直流应用:由于其高额定电压,IRFR420ATRPBF-VB适用于高压直流电源系统,如电池储能和电动车充电系统。

总之,IRFR420ATRPBF-VB适用于多个领域,包括电源逆变器、电机控制、电源管理和高压直流应用等模块。其卓越的性能参数使其成为各种应用中的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1129浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    861浏览量