型号：NTR2101PT1G-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数说明：
- 极性：P沟道
- 额定电压：-20V
- 最大连续漏极电流：-4A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V
- 门极-源极电压（Vgs）：12V（±V）
- 開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V
- 封装：SOT23
应用简介：
NTR2101PT1G-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。
应用领域：
1. **电源模块**：由于NTR2101PT1G-VB适用于低电压应用，并具有适中的电流承受能力，它可用于电源管理模块、电池保护和低电压电源管理。
2. **信号开关**：这种MOSFET器件可用于各种低电压信号开关应用，例如低电压信号切换和电路保护。
3. **便携式设备**：NTR2101PT1G-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。
4. **低电压电源**：在低电压应用中，这种MOSFET适用于低电压电源管理、DC-DC变换器和低电压电路。
总之，NTR2101PT1G-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要低电压、适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、便携式设备、低电压电源等模块。
