--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT89-3封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:2SJ518-VB
丝印:VBI2658
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 额定电压:-60V
- 最大电流:-5A
- 开态电阻 (RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth):1~3V
- 封装:SOT89-3
应用简介:
2SJ518-VB是一款P沟道MOSFET,适用于负极性电压应用,具有低开态电阻和适中的电流电压特性。这款MOSFET适用于需要负电压开关和控制的应用。
主要特点和应用领域:
1. **电源逆变器**:2SJ518-VB可用于电源逆变器,将正电压转换为负电压,适用于一些特殊应用,如负电压电源系统。
2. **电流控制**:这款MOSFET可用于负电流控制,例如电流源、电流控制器和电流放大器,用于实现精确的电流调控。
3. **负极性电源管理**:在特殊应用中,需要负极性电源管理,2SJ518-VB可以用于实现电源开关和控制。
4. **电池保护**:在移动设备和电池供电系统中,这款MOSFET可以用于电池保护电路,确保电池充电和放电过程中的安全性和稳定性。
5. **负电压电源调节器**:2SJ518-VB可用于负电压电源调节器,用于调整负载的电流和电压。
总之,2SJ518-VB适用于多个领域,包括电源逆变器、电流控制、负极性电源管理、电池保护和负电压电源调节器等模块。其P沟道特性和低开态电阻等特性使其成为处理负电压应用的理想选择。
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