--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:NCE4606-VB
丝印:VBA5325
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:N+P沟道
- 额定电压(Vds):±30V
- 最大持续电流(Id):9A(N沟道) / -6A(P沟道)
- 导通电阻(RDS(ON)):15mΩ @ 10V(N沟道) / 42mΩ @ 10V(P沟道)
- 门源电压范围(Vgs):20V(正负)
- 阈值电压(Vth):±1.65V
- 封装:SOP8
应用简介:
NCE4606-VB是一款N+P沟道场效应晶体管(MOSFET),同时包含N沟道和P沟道两种类型的MOSFET。它适用于需要同时控制正向和负向电压的电子应用,如电源开关和电流控制。
详细参数说明:
1. **类型**:这是一款N+P沟道MOSFET,同时包含N沟道和P沟道两种类型的MOSFET。N沟道MOSFET用于正向电压操作,P沟道MOSFET用于负向电压操作。
2. **额定电压(Vds)**:它可以承受的最大漏极-源极电压为±30V。这表示它可以同时处理正向和负向电压。
3. **最大持续电流(Id)**:N沟道MOSFET的最大电流承受能力为9A,而P沟道MOSFET为-6A。这表示N沟道MOSFET可用于正向电流,而P沟道MOSFET可用于负向电流。
4. **导通电阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,N沟道MOSFET的RDS(ON)为15mΩ,P沟道MOSFET为42mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。
5. **门源电压范围(Vgs)**:MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压(Vth)**:这款MOSFET的阈值电压为±1.65V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. **封装**:这款MOSFET采用SOP8封装,这是一种常见的封装类型,适用于多种电路应用。
应用领域:
NCE4606-VB这款N+P沟道MOSFET适用于多种需要同时控制正向和负向电压的电子应用,包括但不限于以下领域模块:
1. **电源开关**:可用于电源开关电路,同时控制正向和负向电压,如电压转换和电流控制。
2. **电池管理**:用于电池充电和放电管理,以确保安全和高效的电池使用。
3. **电流控制**:可用于电流控制电路,如电机控制和电流放大器。
4. **逆变器**:用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。
总之,这款N+P沟道MOSFET适用于需要同时处理正向和负向电压的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能。它们特别适用于需要控制双向电流的应用。
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