--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SI2333CDS-T1-GE3 参数:P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23
应用简介:SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。
其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。
常用于电池供电设备、小型电子设备等。
优势:低导通电阻:有助于高效能电流开关控制。
适用于低电压:适用于低电压操作,如电池供电设备。
适用模块:SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块,如电池供电的小型设备、移动设备等。
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