--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23
应用简介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
适用封装:SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。
为你推荐
-
STK003SF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 16:04
产品型号:STK003SF-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STK001SF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 16:02
产品型号:STK001SF-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
STJ004SF-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 16:01
产品型号:STJ004SF-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
STJ001SF-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 16:00
产品型号:STJ001SF-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
STC4614-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:58
产品型号:STC4614-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel -
STC4614S8RG-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:57
产品型号:STC4614S8RG-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel -
STC4567S8RG-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:56
产品型号:STC4567S8RG-VB 封装:SOP8封装 沟道:N+P—Channel -
ST9402-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:54
产品型号:ST9402-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
ST9402SRG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:53
产品型号:ST9402SRG-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
ST9401-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-09 15:52
产品型号:ST9401-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel