NT2955G (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：NT2955G适用于功率开关和逆变器等高功率应用的P沟道MOSFET。
其能够处理较大的电流和电压，适用于高功率需求的场景。
优势与适用领域：具有较大的电流和电压承载能力，适用于高功率应用，如电源开关、逆变器和电机驱动等模块。
--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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