50P04 (VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。
应用简介：50P04适用于高功率开关和电流控制等领域。
其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于高功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合高功率要求的场景。
--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号：P3004BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号：P3003BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号：P2NK90Z-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号：P2904BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号：P2804EDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号：P2804BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号：P2703BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号：P2610BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号：P2610ADG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号：P2504BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
