AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。
AP2310GN适用于多个应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路等领域中，它可以实现电流控制和功率转换。此外，在汽车电子、消费电子和通信设备等领域，它也有潜在的应用。
--- 产品参数 ---
- 沟道 N
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号：P3004BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号：P3003BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号：P2NK90Z-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号：P2904BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号：P2804EDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号：P2804BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号：P2703BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号：P2610BD-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号：P2610ADG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号：P2504BDG-VB Package：TO252 沟道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
