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深圳市华沣恒霖电子科技有限公司

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ADL7078ACPZN

型号: ADL7078ACPZN

--- 产品参数 ---

  • 低噪声放大器 ADL7078ACPZN
  • 测量 测量设备
  • 温度 -40℃到+85℃
  • 砷化镓(GAAS) 砷化镓(GAAS)

--- 产品详情 ---

 

ADL7078ACPZN 是一个1千兆赫到20千兆赫的低噪声放大器(LNA),具有32个dbrf输入电源的生存能力。耦合电容器和偏置电感器是集成的,方便了紧凑的印刷电路板足迹。

ADL7078ACPZN  的增益为13db,输出功率为1db压缩(OP1db),输出功率为16.5dbm,典型的输出第三顺序截取(OIP3)为28dbm,噪声数字为4.4db为2千兆赫至18千兆赫。这个LNA工作在一个5V电压(V 数据交换 ),并有名义的静止电流(I 数据量 )的数字。

该Adl7078是在一种砷化镓(GAAS)、假形态电子迁移(PUEMT)过程中制备的。该装置安装在一个符合Rohs要求的24铅、4B毫米x4.00mm的铅框架芯片规模包件(LFCSP)中,并规定从-40℃到+85℃的操作。

 


提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考

一、ADL7078ACPZN产品描述

1.产品特性

ADL7078是一个1千兆赫到20千兆赫的低噪声放大器(LNA),具有32个dbrf输入电源的生存能力。耦合电容器和偏置电感器是集成的,方便了紧凑的印刷电路板足迹。

Adl7078的增益为13db,输出功率为1db压缩(OP1db),输出功率为16.5dbm,典型的输出第三顺序截取(OIP3)为28dbm,噪声数字为4.4db为2千兆赫至18千兆赫。这个LNA工作在一个5V电压(V 数据交换 ),并有名义的静止电流(I 数据量 )的数字。

该Adl7078是在一种砷化镓(GAAS)、假形态电子迁移(PUEMT)过程中制备的。该装置安装在一个符合Rohs要求的24铅、4B毫米x4.00mm的铅框架芯片规模包件(LFCSP)中,并规定从-40℃到+85℃的操作。2.技术规格

 

 

二、ADL7078ACPZN 应用领域

 

应用

  • 电子战
  • 测试和测量设备
  • 卫星通信。

三、应用电路图

示例:

 

ADL7078ACPZN

特点和益处

  • 评估Adl7078高生存性,低噪音放大器,1千兆赫至20千兆赫
  • 结束发射,2.9毫米射频连接器
  • 通过校准路径(无人)

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