企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

IRF840APBF-VB一种N沟道TO220封装MOS管

型号: IRF840APBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 最大电压 500V
  • 最大电流 13A
  • 静态电阻 660mΩ@10V, 20Vgs(±V)
  • 阈值电压 3.1V
  • 封装类型 TO220

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  IRF840APBF-VB
丝印  VBM15R13
品牌  VBsemi
参数  
 类型   N沟道场效应管(N-Channel MOSFET)
 最大电压  500V
 最大电流  13A
 静态电阻  660mΩ@10V, 20Vgs(±V)
 阈值电压  3.1V
 封装类型  TO220

应用简介  

IRF840APBF-VB是一款强大的N沟道场效应管,具有较高的电压和电流承载能力。其低静态电阻和高阈值电压使其在各种应用领域中表现优秀。

该产品可以广泛应用于以下领域模块  
1. 电源模块  IRF840APBF-VB可用于高功率电源模块中,例如电力逆变器、开关电源和充电器等。
2. 高压驱动  由于其最大电压为500V,可以用于高压电路中的电机驱动,例如步进电机驱动器和直流电机驱动器。
3. 照明控制  IRF840APBF-VB适用于照明系统中的调光控制器和开关控制器模块,能够提供可靠的开关性能和高效的能量转换。
4. 电动汽车充电桩  该产品还可应用于电动汽车充电桩中,通过控制充电电流,确保电动汽车的安全充电。

总而言之,IRF840APBF-VB是一款多功能的N沟道场效应管,适用于电源、高压驱动、照明控制和电动汽车充电桩等领域的模块。它具有优异的性能和可靠性,可满足各种应用需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    169浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    154浏览量