企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

AO4419-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号: AO4419-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道类型 P沟道
  • 额定电压 -30V
  • 额定电流 -7A
  • 开启电阻 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ
  • 门源极电压 ±20V
  • 门阈电压 -1.37V
  • 封装类型 SOP8

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号   AO4419-VB
 丝印   VBA2317
 品牌   VBsemi
 参数  
   沟道类型   P沟道
   额定电压   -30V
   额定电流   -7A
   开启电阻   23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V
   门源极电压范围   ±20V
   门阈电压   -1.37V
 封装类型   SOP8

应用简介  AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件,适用于各种需要P沟道器件的电路设计。它可在-30V的额定电压下提供最大-7A的电流,具有低开启电阻,可在不同电压下提供较低的电阻值,以提高功率传输效率。该器件采用SOP8封装,适合于表面贴装技术(SMT)。

应用领域和模块  
1. 电源模块  AO4419-VB可用于电源模块中的开关电源设计,通过提供高电压和大电流能力,协助实现高效率的电能转换和稳定的电源输出。
2. LED照明模块  该器件可以用在LED照明模块中的驱动电路中,通过控制LED的通断来实现灯光的亮度调节。高电流和低电阻特性有助于提供稳定的电流给LED灯。
3. 电机驱动模块  AO4419-VB可用于电机驱动模块中,帮助实现高效能电机驱动。其高电流和低开启电阻可以提供给电机足够的电流和稳定的电源。
4. 电池管理模块  在电池管理模块中,该器件可用于功率开关电路,以控制电流流向和充放电过程。低电阻和高电压能力使得它可以承受高负载和提供稳定的电流。

总结  AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件,适用于电源模块、LED照明模块、电机驱动模块和电池管理模块等领域的电路设计,以提供高效能和稳定的电源和电流。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    122浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量