--- 产品参数 ---
- 类型 N+P沟道MOSFET
- 工作电压 ±60V
- 电流 6.5/-5A
- 开态电阻 28/51mΩ @ 10V和34/60mΩ @ 4.5V
- 门源电压 20V (Vgs)
- 阈值电压 ±1.9V (Vth)
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 ZXMC4559DN8TA-VB
丝印 VBA5638
品牌 VBsemi
详细参数说明
类型 N+P沟道MOSFET
工作电压 ±60V
电流 6.5/-5A
开态电阻 RDS(ON)为28/51mΩ @ 10V和34/60mΩ @ 4.5V
门源电压 20V (Vgs)
阈值电压 ±1.9V (Vth)
封装 SOP8
应用简介
该型号的MOSFET适用于以下应用领域的模块
1. 电源管理模块 可用于电源开关、功率逆变器和稳压器等电路中,以提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
2. 驱动器模块 可用于各种驱动器电路中,提供高速的开关和保护功能,用于控制电机、灯光和其他电子设备的运行。
3. 电机控制模块 可用于电机驱动和控制电路中,提供高效的功率传输和精确的速度/位置控制,适用于工业自动化和机器人控制等领域。
4. LED照明模块 可用于LED照明电路中,提供高效的电源管理和驱动,以实现节能和长寿命的LED照明解决方案。
总之,ZXMC4559DN8TA-VB是一款适用于电源管理、驱动器、电机控制和LED照明等领域模块的N+P沟道MOSFET产品。它具有高电压、高电流和低开态电阻的特性,能够提供高效的功率传输和可靠的性能,适合各种工业和消费电子应用。
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