型号 SI2371EDS-T1-GE3-VB
丝印 VB2355
品牌 VBsemi
参数
类型 P沟道
额定电压（Vds） -30V
最大持续电流（Id） -5.6A
导通电阻（RDS(ON)） 47mΩ @ 10V
门源电压范围（Vgs） 20V（正负）
阈值电压（Vth） -1V
封装 SOT23
应用简介
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要低导通电阻和负向电压操作的电子应用。它在电源开关、电池管理、负载开关等领域具有广泛的应用。
详细参数说明
1. 类型 这是一款P沟道MOSFET，意味着它在输入负向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要负向电压操作的电路中。
2. 额定电压（Vds） 它可以承受的最大漏极-源极电压为-30V。这表示它可以在负向电压条件下工作。
3. 最大持续电流（Id） 这款MOSFET的最大电流承受能力为-5.6A。负号表示电流流向是从源到漏极。
4. 导通电阻（RDS(ON)） RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为47mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较低。
5. 门源电压范围（Vgs） MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. 阈值电压（Vth） 这款MOSFET的阈值电压为-1V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. 封装 这款MOSFET采用SOT23封装，这是一种常见的小型封装类型，适用于紧凑的电路设计。
应用领域
SI2371EDS-T1-GE3-VB这款MOSFET适用于多种需要低导通电阻和负向电压操作的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块
1. 电源开关 可用于低电阻负向电压电源开关，如电压转换和电源控制。
2. 电池管理 可用于电池充电和放电管理，以确保安全和高效的电池使用。
3. 负载开关 用于控制负载的通断，如LED照明系统、电动工具和电子设备。
4. 电源保护 可用于电源保护电路，以防止过流、过压等异常情况。
5. 电流控制 可用于电流控制电路，如电池充电器和电流放大器。
总之，这款P沟道MOSFET适用于需要低导通电阻和负向电压操作的电子模块和设备，提供电源控制和电流管理的功能，特别是在需要负向电压操作的应用中。
