型号 NTD3055L170T4G-VB
丝印 VBE1695
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
最大耐压 60V
最大电流 18A
静态开启电阻 (RDS(ON)) 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
门源极电压 (Vgs) 20V (±V)
阈值电压 (Vth) 2V
封装类型 TO252
应用简介
NTD3055L170T4G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域
1. 电源模块 这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关，帮助提高电源管理的效率，适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。
2. DC-DC转换器 NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC转换器中，将一个电压转换成另一个电压，适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。
3. 电池管理 它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。
4. 电机驱动 NTD3055L170T4G-VB可用于电机驱动电路，如电机控制器和电动工具，以实现高效的电机运行。
5. 汽车电子 由于其高电流承受能力和低导通电阻，这种MOSFET也适用于汽车电子系统，如车辆电源管理和驱动控制。
NTD3055L170T4G-VB的特性使其适用于多种中等功率电子应用，尤其是在需要高电流承受能力和低导通电阻的情况下。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。
