--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 60A
- 静态开启电阻 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 20V (±V)
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 NTD5865NLT4G-VB
丝印 VBE1615
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
最大耐压 60V
最大电流 60A
静态开启电阻 (RDS(ON)) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
门源极电压 (Vgs) 20V (±V)
阈值电压 (Vth) 1.87V
封装类型 TO252
应用简介
NTD5865NLT4G-VB是一款高功率N沟道MOSFET,适用于需要高电压和高电流承受能力的电子应用,以下是一些可能的应用领域
1. 电源模块 这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关,可应用于工业电源、电动工具和电动车辆充电器等高功率应用中,以提高电源效率。
2. 电机驱动 NTD5865NLT4G-VB可用于高功率电机驱动电路,如工业电机控制、电动汽车电机驱动器等,以实现高效的电机运行。
3. 高功率逆变器 在需要高功率逆变器的应用中,如电焊设备和高功率电炉,这款MOSFET可以用作关键的开关元件。
4. 电池管理 它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。
5. 汽车电子 由于其高电压和电流特性,这种MOSFET也适用于汽车电子系统,如车辆电源管理和驱动控制。
NTD5865NLT4G-VB的高电压和电流承受能力,以及低导通电阻,使其成为各种高性能、高功率电子应用的理想选择。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。
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