--- 产品参数 ---
- 极性 P沟道
- 额定电流 -25A
- 静态导通电阻 66mΩ @ 10V, 80mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 -20V 至 20V
- 阈值电压 -1.43V
- 封装类型 TO251
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 RFD15P05-VB
丝印 VBFB2610N
品牌 VBsemi
参数说明
极性 P沟道
额定电压(Vds) -60V
额定电流(Id) -25A
静态导通电阻(RDS(ON)) 66mΩ @ 10V, 80mΩ @ 4.5V
门源极电压(Vgs) -20V 至 20V
阈值电压(Vth) -1.43V
封装类型 TO251
应用简介
RFD15P05-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块
1. 电源开关模块 由于其P沟道MOSFET特性,RFD15P05-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于通信设备、工业电源和电子设备中。
2. 电池保护 该MOSFET可用于电池保护电路,确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、电动工具和电动汽车非常关键。
3. 电池充电管理 在电池充电管理模块中,RFD15P05-VB可以用于电池充电电路,确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
4. 电机控制 该产品适用于电机控制模块,如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在自动化系统、机器人技术和电动汽车中广泛使用。
5. 电源开关 RFD15P05-VB还可以应用于各种电源开关应用,如开关稳压器、DC-DC变换器和电源模块。这对于提供高效、可靠的电源解决方案非常重要。
总之,RFD15P05-VB是一款功能强大的P沟道MOSFET,适用于多种领域的模块设计,包括电源开关、电池保护、电池充电管理、电机控制和电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。
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